Электропроводимость и процессы диэлектрической релаксации керамической системы Y2O3-ZrO2-SrTiO3-BiScO3

Автор(ы) И.В. Суджанская1, В.М. Береснев2, Л.А. Илюшин2, 3
Принадлежность

1Белгородский государственный национальный исследовательский университет, ул. Победы, 85, 308015 Белгород, Россия

2Харьковский национальный университет имени В.Н. Каразина, пл. Свободы 4, 61022 Харьков, Украина

3The University of Texas at San Antonio, Department of Physics and Astronomy, One UTSA Circle, San Antonio, TX 78249, USA

Е-mail
Выпуск Том 10, Год 2018, Номер 4
Даты Получено 17.04.2018; опубликовано online 25.08.2018
Ссылка И.В. Суджанская, В.М. Береснев, Л.А. Илюшин, Ж. нано- электрон. физ. 10 № 4, 04024 (2014)
DOI http://dx.doi.org/10.21272/jnep.10(4).04024
PACS Number(s) 81.05.Je, 72.80.Ey
Ключевые слова Электропроводимость, Диэлектрическая релаксация, Керамическая система.
Аннотация

Методом реакции в твердой фазе синтезирована керамическая система Y2O3-ZrO2-SrTiO3-BiScO3. Получены частотная и температурная зависимости электропроводности керамики Y2O3-ZrO2-SrTiO3-BiScO3. При температуре выше 500 К обнаружена диэлектрическая релаксация керамической системы Y2O3-ZrO2-SrTiO3-BiScO3, энергия активации процесса релаксации составила 1,25 эВ. Установлено, что энергия активации процесса проводимости керамической системы Y2O3-ZrO2-SrTiO3-BiScO3 составила 1,04 эВ.

Список литературы