Исследование фотоэлектрических преобразователей на основе различных полупроводниковых материалов

Автор(ы) Ю.В. Натарова, А.С. Гнатенко, А.Б. Галат
Принадлежность

Харьковский национальный университет радиоэлектроники, пр. Науки, 14, 61166 Харьков, Украина

Е-mail
Выпуск Том 10, Год 2018, Номер 4
Даты Получено 09.05.2018; опубликовано online 25.08.2018
Ссылка Ю.В. Натарова, А.С. Гнатенко, А.Б. Галат, Ж. нано- электрон. физ. 10 № 4, 04023 (2018)
DOI http://dx.doi.org/10.21272/jnep.10(4).04023
PACS Number(s) 84.60.Jt, 82.47.Jk
Ключевые слова Энергия, Спектр поглощение, Фотопреобразователь, Полупроводник.
Аннотация

В работе исследуются наиболее перспективные материалы для производства солнечных батарей. Основной целью работы является исследование поглощающей способности различных материалов  используемых в производстве солнечных батарей и определение материалов для изготовления батарей с наибольшим КПД. Расчеты и методики, представленные в работе, позволяют сравнить эффективность поглощения спектра 0,3-1,4 мкм для многослойных тонкопленочных структур. В результате расчетов и моделирования получены зависимости поглощающей способности гетероструктур от толщины активного и буферного слоев. Для исследования в работе были выбраны наиболее перспективные солнечные элементы, которые используют гетеропереходы на основе кристаллического кремния (c-Si) и гидрогенизированного аморфного кремния (a-Si:H), теллурида кадмия (CdTe), диселенида индия (CuInSe2–CIS), диселенида галлия (CuInSe2–CIS), а также твердых растворов CuIn1 – xGaxSe2–CIGS.

Список литературы

English version of article