p-i-n фотодиод на основе кремния с малым временем нарастания

Автор(ы) Ю.Г. Добровольский, О.П. Андреева, М.С. Гавриляк, Л.Й. Пидкаминь, Г.В. Прохоров
Принадлежность

Черновицкий национальный университет имени Ю. Федовича, ул. Коцюбинского, 2, 58012 Черновцы, Украина

Е-mail
Выпуск Том 10, Год 2018, Номер 4
Даты Получено 06.02.2018; в отредактированной форме 10.08.2018; опубликовано online 25.08.2018
Ссылка Ю.Г. Добровольский, О.П. Андреева, М.С. Гавриляк, и др., Ж. нано- электрон. физ. 10 № 4, 04019 (2018)
DOI http://dx.doi.org/10.21272/jnep.10(4).04019
PACS Number(s) 85.60.Dw, 85.30. – z
Ключевые слова Фотодиод, Время нарастания, Граничная частота, Генерация тока.
Аннотация

Исследованы и проанализированы факторы, которые влияют на время нарастания фотодиода. Используя полученные результаты, был разработан фотодиод, основанный на высокоомном кремнии с проводимостью р-типа с минимальным временем нарастания. Предлагаемая конструкция. содержит контакт на задней части кристалла фотодиода, который не является непрерывным, но имеет отверстие. Такая дырка представляет собой проекцию светочувствительного элемента на обратной стороне кристалла фотодиода. Величина времени нарастания этого фотодиода составляет не более 9 нс по сравнению с 37 нс в аналоге FD-255A.

Список литературы