Топография и плотность поверхностных электронных состояний ювенильных и дефектных наноструктурированых поверхностей скалывания (100) слоистых кристаллов In4Se3

Автор(ы) П.В. Галий1 , П. Мазур2 , А. Цижевский2 , Т.М. Ненчук1 , И.Р. Яровец1 , Я. Бужук1, О.Р. Дверий3
Принадлежность

1Львовский национальный университет имени Ивана Франко, ул. Драгоманова, 50, 79005 Львов, Украина

2Institute of Experimental Physics, University of Wroclaw, pl. Maxa Borna 9, Wroclaw, 50-204, Poland

3Национальная академия сухопутных войск имени гетмана Петра Сагайдачного, ул. Героев Майдана, 32, 79012 Львов, Украина

Е-mail galiy@electronics.lnu.edu.ua
Выпуск Том 10, Год 2018, Номер 4
Даты Получено 15.03.2018; опубликовано online 25.08.2018
Ссылка П.В. Галий, П. Мазур, А. Цижевский и др., Ж. нано- электрон. физ. 10 № 4, 04002 (2018)
DOI http://dx.doi.org/10.21272/jnep.10(4).04002
PACS Number(s) 68.47.Fg, 61.46._w, 68.37.Ef, 68.37.Ps, 61.05.Jh
Ключевые слова Cлоистые кристаллы, Междуслоевые поверхности скалывания, Топография, Сканирующие туннельная и атомно силовая микроскопии и спектроскопии, Поверхностные дефекты и плотность поверхностных электронных состояний.
Аннотация

В работе приведены результаты системного экспериментального исследования методами: дифракции медленных электронов (ДМЭ), сканирующей туннельной микроскопии и сканирующей туннельной спектроскопии (СТМ/СТС), а также атомно силовой микроскопии и спектроскопии (АСМ/АСС), с учетом их уникальних возможностей всестороннего, глубокого анализа поверхностей слоистых кристаллов In4Se3. Системное исследование наноструктурированных полупроводниковых анизотропных матриц – поверхностей скалывания (100) слоистых кристаллов In4Se3 проведено с целью их использования для получения наносистем на основе их поверхностей скалывания. Исследовано влияние дефектов различной природы (точечных, линейных, макродефектов) междуслоевых поверхностей скалывания (100) слоистых кристаллов In4Se3 на их топографию и локальную плотность поверхностных электронных состояний, а также на их электронно-энергетическую структуру. Установлено, что для всех слоистых кристаллов с разной концентрацией дефектов имеет место их значительное влияние на локальную плотность поверхностных электронных состояний и электронно-энергетическую структуру междуслоевых поверхностей скалывания.

Список литературы

English version of article