Гетероэпитаксиальный рост SiC на подложках пористого Si методом замещения атомов

Автор(ы) В.В. Кидалов1 , С.А. Кукушкин2, 3 , 4 , 5 , А.В. Осипов2, А.В. Редьков2, А.С. Гращенко2, И.П. Сошников5, 6 , М.Е. Бойко6, М.Д. Шарков6, А.Ф. Дяденчук1
Принадлежность

1Бердянский государственный педагогический университет, ул. Шмидта, 4, 71100 Бердянск, Украина

2Институт проблем машиноведения РАН, пр. Большой, 61, 199178 Санкт-Петербург, Россия

3ИTMO Университет, пр. Кронверкский, 49, 199178 Санкт-Петербург, Россия

4Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена, наб. реки Мойки, 48, 191186 Санкт-Петербург, Россия

5Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет РАН, ул. Хлопина, 8/3, 194021 Санкт-Петербург, Россия

6Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе, ул. Политехническая, 26, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Е-mail
Выпуск Том 10, Год 2018, Номер 3
Даты Получено 26.03.2018; опубликовано online 25.06.2018
Ссылка В.В. Кидалов, С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, Ж. нано- электрон. физ. 10 № 3, 03026 (2018)
DOI https://doi.org/10.21272/jnep.10(3).03026
PACS Number(s) 78.30Fs, 78.55m, 61.43Gt, 81.65.Cf
Ключевые слова Метод замещения атомов, Пористый буферный слой, SiC (19) , Пористый Si, Si (447) , Эпитаксиальные пленки, 3C-SiC.
Аннотация

В работе рассмотрены свойства пленок карбида кремния, полученных на пористых подложках кремния методом замещения атомов. На макропористых подложках Si (100) получены пленки карбида кремния, «обволакивают» пористые поверхности. Данная структура может найти применение при изготовлении электродов суперконденсаторов. На мезопористых подложках Si (100) получено поликристаллические пленки карбида кремния 3C-SiC с размером зерен 27 нм. Монокристаллические эпитаксиальные пленки карбида кремния 3C-SiC, полученные на мезопористых подложках Si (111), обладают малой площадью контакта между Si и SiC и позволяют эффективно «отвязать» механические напряжения, возникающие вследствие различий в коэффициентах термического расширения и параметрах решетки кремния и карбида кремния. Выявлено, что наличие пор в приповерхностных слоях Si приводит к значительной релаксации напряжений в пленках SiC, что открывает путь к выращиванию толстых слоев GaN на темплейте  SiC/porous-Si/Si.

Список литературы

English version of article