Формування варізонної активної області фотоелектричного перетворювача на основі твердих розчинів AlGaAs модуляцією потоку триметилалюмінію в методі МОС-гідридної епітаксії

Автор(ы) С.И. Круковскый1,2, Г.А. Ильчук2 , Р.С. Круковскый1,2, И.В. Семкив2, Е.О. Змийовська2, С.В. Токарев2
Принадлежность

1НВП “ЕЛЕКТРОН-КАРАТ”, вул. Стрийська, 202, 79031 Львів, Україна

2Національний університет “Львівська політехніка”, вул. С. Бандери, 12, 79013 Львів, Україна

Е-mail goro0609@gmail.com
Выпуск Том 10, Год 2018, Номер 3
Даты Получено 14.02.2018, опубликовано online 25.06.2018
Ссылка С.И. Круковскый, Г.А. Ильчук, Р.С. Круковскый, и др., Ж. нано- электрон. физ. 10 № 3, 03025 (2018)
DOI https://doi.org/10.21272/jnep.10(3).03025
PACS Number(s) 61.72.uj, 73.61.Ey, 81.15.Gh
Ключевые слова AlGaAs (4) , МОС-гидридная эпитаксия, Варизонная структура.
Аннотация

Показано варізонної для AlGaAsПредставлена методика формирования гетероструктуры nGaAs\рAlGaAs\р+GaAs с помощью метода МОС-гидридной эпитаксии в температурном диапазоне 630-700 °С. Проведено исследование распределения концентрации носителей заряда по толщине эпитаксиальных слоев n-GaAs легированных кремнием и концентрации AlAs по толщине слоя твердого раствора AlxGa1-xAs. Показано высокое структурное совершенство полученных эпитаксиальных слоев варизонной структуры. Создан солнечный элемент с активной площадью 1 см2. Показано значение коэффициента полезного действия (η = 25,37 %) полученного солнечного элемента, которое является выше такого значения для элементов на основе GaAs.

Список литературы

English version of article