Компьютерное моделирование электрических характеристик графенового кластера с дефектами Стоуна-Уэльса

Автор(ы) Д.М. Сергеев1,2
Принадлежность

1Актюбинский региональный государственный университет им. К. Жубанова, пр. Молдагуловой, 34, 030000 Актобе, Казахстан

2Военный институт Сил воздушной обороны им. Т.Я. Бегельдинова, пр. Молдагуловой, 39, 030012 Актобе, Казахстан

Е-mail serdau@rambler.ru
Выпуск Том 10, Год 2018, Номер 3
Даты Получено 22.02.2018; в отредактированной форме – 05.06.2018; опубликовано online 25.06.2018
Ссылка Д.М. Сергеев, Ж. нано- электрон. физ. 10 № 3, 03018 (2018)
DOI https://doi.org/10.21272/jnep.10(3).03018
PACS Number(s) 73.63. – b, 61.72.J –
Ключевые слова Графен (14) , Дефект Стоуна-Уэльса, Плотность состояний, Вольтамперная характеристика, Дифференциальная проводимость, Функция (спектр) пропускания.
Аннотация

В рамках теории функционала плотности с применением метода неравновесных гриновских функций и в приближении локальной плотности исследованы электрические характеристики различных конфигураций графена с дефектом Стоуна-Уэльса. Расчет реализован в программе Atomistix ToolKit with Virtual NanoLab. Рассчитаны вольтамперные, dIdV-характеристики, спектр пропускания и плотность состояний рассматриваемых наноструктур. При энергии 0,5 эВ на плотности состояний возникает полоса, состоящая из двух пиков, характерные для дефектов Стоуна-Уэльса. Эта «дефектная полоса» может быть полезной для распознавания подобных дефектов, а также для определения их концентрации в графеновой пленке. Показано, что на вольтамперных характеристиках дефектных графеновых структур проявляется участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением, возможно обусловленный резонансным туннелированием квазичастиц. Эти же изменения наблюдаются и на dI/dV-характеристике. Полученные результаты могут быть полезными для расчетов новых перспективных электронных приборов наноэлектроники на основе графена.

Список литературы

English version of article