Численное моделирование солнечных элементов на базе SnS

Автор(ы) М.Н. Иващенко1, А.С. Опанасюк2, И.П. Бурык1, Д.В. Кузьмин1
Принадлежность

1Конотопский институт, Сумский государственный университет, пр. Мира, 24, 41615 Конотоп, Украина

2Сумский государственный университет, ул. Римского-Корсакова, 2, 40007 Сумы, Украина

Е-mail m_ivashchenko@ukr.net
Выпуск Том 10, Год 2018, Номер 3
Даты Получено 09.04.2018; опубликовано online 25.06.2018
Ссылка М.Н. Иващенко, А.С. Опанасюк, И.П. Бурык, Д.В. Кузьмин, Ж. нано- электрон. физ. 10 № 3, 03004 (2018)
DOI https://doi.org/10.21272/jnep.10(3).03004
PACS Number(s) 85.60.Bt, 78.20.Bh, 73.61.Ga
Ключевые слова Солнечный элемент, Моделирование, Фактор заполнения, К.П.Д, SCAPS (5) .
Аннотация

В данной работе было проведено численное моделирование основных эксплуатационных характеристик (световые вольт-амперные характеристики, спектральное распределения квантовой эффективности) солнечных элементов (СЭ), исполненных на основе слоя SnS (SnS/SnS2/ITO, SnS/ZnS/ITO) с использованием программного пакета SCAPS-3102. Избрав такие характеристики для моделирования, как ширина запрещенной зоны Eg,, толщины слоев d, электронное сродство (, и т.д., были получены следующие эксплуатационные характеристики СЭ: напряжение холостого хода UOC, плотность тока короткого замыкания JSC, фактор заполнения FF и коэффициент полезного действия фотопреобразования (. Полученные значения позволили определить оптимальные конструктивные параметры смоделированных солнечных элементов.

Список литературы