Влияния параметров ВЧ-магнетронного распыления на структуру пленокдиборида гафния

Автор(ы) А.А. Гончаров1, А.Н. Юнда1, В.В. Буранич1, И.В. Шелест1, В.Б. Лобода2
Принадлежность

1Сумский государственный университет, ул. Римского-Корсакова, 2, 40007 Сумы, Украина

2Сумский национальный аграрный университет, ул. Герасима Кондратьева, 160, 40021 Сумы, Украина

Е-mail o.goncharov@mss.sumdu.edu.ua
Выпуск Том 10, Год 2018, Номер 3
Даты Получено 19.03.2018; опубликовано online 25.06.2018
Ссылка А.А. Гончаров, А.Н. Юнда, В.В. Буранич, и др., Ж. нано- электрон. физ. 10 № 3, 03002 (2018)
DOI https://doi.org/10.21272/jnep.10(3).03002
PACS Number(s) 68.35. – p, 68.55.A –, 68.60.Bs, 81.07.Bc, 81.15.Cd
Ключевые слова Магнетронное распыление, Диборид гафния, Потенциал смещения, Структура (118) , Ионный ток.
Аннотация

Исследовано влияние энергетического фактора на формирование структуры нанокри-сталлических пленок диборида гафния. Показано, что при магнетронном распылении, изменение плотности энергии Ebi, доставляемой растущей пленке бомбардирующими ионами, за счет изменения потенциала смещения Us и плотности ионного тока js, на подложке приводит к формированию пленок диборида гафния различного структурного состояния от нанокластерного до нанокристаллического с текстурой роста нормалью к плоскости (0.01) и размером нанокристаллитов от 2,3 до 20 нм соответственно.

Список литературы