Механизмы токопереноса в анизотипных гетеропереходах p-NiO/n-Si

Автор(ы) Г.П. Пархоменко, М.Н. Солован , П.Д. Марьянчук
Принадлежность

Черновицкий национальный университет имени Юрия Федьковича, ул. Коцюбинского 2, 58012 Черновцы, Украина

Консоль отладки Joomla!

Е-mail
Выпуск Том 10, Год 2018, Номер 2
Даты Получено 20.11.2017, опубликовано online 29.04.2018
Ссылка Г.П. Пархоменко, М.Н. Солован, П.Д. Марьянчук, Ж. нано- электрон. физ. 10 № 2, 02028 (2018)
DOI https://doi.org/10.21272/jnep.10(2).02028
PACS Number(s) 72.20. – i
Ключевые слова Гетеропереход (3) , Механизмы токопереноса, NiO (14) , SiС.
Аннотация

Изготовленны гетероструктуры p-NiO/n-SiC методом реактивного магнетронного напыления тонких пленок оксида никеля на подложки из кристаллов n-SiC. Исследованы их темновые вольт-амперные характеристики в широком диапазоне температур. Установлено, что основными механизмами токопереноса при прямом смещении являются генерационно-рекомбинационный и туннелирование. При обратных смещениях основным механизмом токопереноса является туннелирование через потенциальный барьер с участием энергетического уровня с глубиной залегания 0.47 эВ.

Консоль отладки Joomla!