Особенности влияния небольших доз высокоэнергетического гамма-излучения на фотоэлектрические и спектральные характеристики структур собственный оксид-InSe

Автор(ы) О.Н. Сидор, О.А. Сидор , З.Д. Ковалюк
Принадлежность

1Черновицкое отделение Института проблем материаловедения им. И.Н.Францевича НАН Украины, ул. Ирины Вильдэ, 5, 58001 Черновцы, Украина

Е-mail sydor.oleh@gmail.com
Выпуск Том 10, Год 2018, Номер 2
Даты (Получено 08.11.2017, опубликовано online 29..201)
Ссылка О.Н. Сидор, О.А. Сидор, З.Д. Ковалюк, Ж. нано- электрон. физ. 10 № 2, 02023 (2018)
DOI https://doi.org/10.21272/jnep.10(2).02023
PACS Number(s) 81.65.Mq, 78.20. – e, 78.56. – a, 61.80.Ed
Ключевые слова Слоистый полупроводник, Селенид индия, Гамма-излучение, Термическое окисление, Собственный окисел, Гетероструктура (8) , Фотоответ.
Аннотация

В работе исследовано влияние малых доз (D  140 Гр) тормозных гамма-квантов (Еэфф  3 МэВ) в диапазоне флюенсов 1012-1013 см–2 на фотоэлектрические и спектральные параметры двух типов гетероструктур (ГС) собственный оксид-р-ІnSe, сформированных кратковременным (1 час) и длительным (96 часов) термическим окислением. Спектры фотоответа (h) не показали существенных изменений формы или энергетического положения с облучением. Наблюдались только положительный рост абсолютных значений фототока и появление экситонного максимума при комнатной температуре. Показано, что оба типа ГС продемонстрировали тенденцию к улучшению параметров. Так, выросла крутизна длинноволновой границы спектров фотоответа, увеличились монохроматические ампер-ваттные SI и вольт-ваттные SU чувствительности, напряжение холостого хода Uхх и ток короткого замыкания Jкз. Влияние радиации проявляется в появлении простых точечных дефектов вакансионной природы и их взаимодействии с дефектной структурой слоистого полупроводника при минимальном воздействии на пленку его собственного оксида.

Список литературы

English version of article