Электрические и фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных структур MoOx/n-Si

Автор(ы) М.Н. Солован
Принадлежность

Черновицкий национальный университет имени Юрия Федьковича, ул. Коцюбинского 2, 58012 Черновцы, Украина

Е-mail
Выпуск Том 10, Год 2018, Номер 2
Даты Получено 10.11.2017, опубликовано online 29.04.2018
Ссылка М.Н. Солован, Ж. нано- электрон. физ. 10 № 2, 02030 (2018)
DOI https://doi.org/10.21272/jnep.10(2).02030
PACS Number(s) 47.15.km, 72.20. – i
Ключевые слова Гетероструктура (8) , Потенциальный барьер, Механизмы токопереноса, Энергетическая диаграмма, МoOx, Si (447) .
Аннотация

Изготовлено гетеропереходы МоOх/n-Si путем нанесения тонких пленок МоOх методом реактивного магнетронного распыления на подложки кремния. Измерены вольт-амперные характеристики (ВАХ) полученных гетеропереходов при различных температурах. Проанализированы температурные зависимости высоты потенциального барьера и последовательного сопротивления гетероперехода. Построено энергетическую диаграмму исследуемых гетеропереходов. Оценено концентрацию поверхностных состояний на границе раздела гетероперехода и установлено доминирующие механизмы токопереноса через исследуемые гетеропереходы при прямом и обратном смещениях. Установлено, что гетероструктура MoOx/n-Si, имеет максимальное напряжение холостого хода Voc ( 0.167 B и плотность тока короткого замыкания Isc ( 8.56 мА/см2). Проанализировано возможности применения полученной гетероструктуры в качестве фотодиода.

Список литературы

English version of article