Ионизация примесей постоянным электрическим полем в графене с широкой запрещенной зоной

Автор(ы) С.Ю. Глазов1, 2 , П.В. Бадикова1
Принадлежность

1Волгоградский государственный социально-педагогический университет, пр. им. В.И. Ленина, 27, 400066 Волгоград, Россия

2Волгоградский государственный медицинский университет, пл. Павших борцов, № 1, 400131 Волгоград, Россия

Е-mail ser-glazov@yandex.ru
Выпуск Том 10, Год 2018, Номер 2
Даты Получено 15.01.2018; опубликовано online 29.04.2018
Ссылка С.Ю. Глазов, П.В. Бадикова, Ж. нано- электрон. физ. 10 № 2, 02020 (2018)
DOI https://doi.org/10.21272/jnep.10(2).02020
PACS Number(s) 73.40.Gk, 72.80.Vp
Ключевые слова Ионизация примесей, Вероятность ионизации, Туннелирование, Щелевая модификация графена.
Аннотация

Получено аналитическое выражение для вероятности ионизации примесей в щелевой модификации графена в присутствии постоянного электрического поля в квазиклассическом приближении. Исследована вероятность ионизации примесей от направления вектора напряженности электрического поля. Вероятность ионизации в постоянном электрическом поле обладает слабо выраженной анизотропией, проявляющейся в случае, когда ширина запрещенной зоны графена больше энергии перескока электронов между соседними узлами кристаллической решетки. Проведено сравнение результатов с ранее известными, полученными для спектра, заданного в низкоэнергетическом приближении.

Список литературы