Тонкопленочные структуры систем ZnO/SiC и ZnO/C

Автор(ы) А.Х. Абдуев, А.К. Ахмедов, А.Ш. Асваров, С.Ш. Махмудов
Принадлежность

Институт физики Дагестанского научного центра РАН, пр. Ярагского, 94, 367015 Махачкала, Россия

Консоль отладки Joomla!

Е-mail cht-if-ran@mail.ru
Выпуск Том 10, Год 2018, Номер 2
Даты Получено 12.01.2018; в отредактированной форме – 25.04.2018; опубликовано online 29.04.2018
Ссылка А.Х. Абдуев, А.К. Ахмедов, А.Ш. Асваров, С.Ш. Махмудов, Ж. нано- электрон. физ. 10 № 2, 02041 (2018)
DOI https://doi.org/10.21272/jnep.10(2).02041
PACS Number(s) 68.65.Ac, 81.15.Cd,
Ключевые слова Тонкая пленка, Магнетронное распыление, Оксид цинка, Углерод, Карбид кремния.
Аннотация

Исследованы процессы магнетронного формирования тонкопленочных трехслойных структур ZnO/X/ZnO, где в качестве промежуточного слоя Х использованы аморфные слои углерода и карбида кремния. Исследованы процессы, происходящие на интерфейсах ZnOуглерод и ZnOSiC при отжиге тонкопленочных структур в инертной атмосфере. Показано, что различия в морфологии и структуре слоев ZnO после отжига обусловлены различием химических реакций, протекающих на интерфейсах, и механизмов диффузии компонентов по межзеренным границам.

Консоль отладки Joomla!