Электрические свойства тонких плёнок Cu2ZnSnSe4 и Cu2ZnSnSe2Te2(S2), полученных методом термовакуумного напыления

Автор(ы) И.П. Козярский, Э.В. Майструк, Д.П. Козярский, П.Д. Марьянчук
Принадлежность

Черновицкий национальный университет имени Юрия Федьковича, ул. Коцюбинского, 2, 58012 Черновцы, Украина

Е-mail i.koziarskyi@chnu.edu.ua
Выпуск Том 10, Год 2018, Номер 1
Даты Получено 15.09.2017, в отредактированной форме – 27.10.2017, опубликовано online 24.02.2018
Ссылка И.П. Козярский , Э.В. Майструк, Д.П. Козярский, П.Д. Марьянчук, Ж. нано- электрон. физ. 10 № 1, 01028 (2018)
DOI 10.21272/jnep.10(1).01028
PACS Number(s) 73.61.Le, 81.15.Ef
Ключевые слова Тонкие пленки, CZTS (6) , Удельное сопротивление, Термовакуумное напыление.
Аннотация

Представлены технологические особенности синтеза и выращивания объемных кристаллов Cu2ZnSnSe4, Cu2ZnSnSe2S2 и Cu2ZnSnSe2Te2. Получены поликристаллические слитки длиной до 50 мм и диаметром до 10 мм. Методом термовакуумного напыления напылены тонкие пленки Cu2ZnSnSe4, Cu2ZnSnSe2S2, Cu2ZnSnSe2Te2. С помощью четырехзондового метода определены значения удельного сопротивление полученных пленок.

Список литературы