Фотоэлектрические свойства нанокомпозитных ионотронних структур, сформированных на основе 2D слоистого полупроводника InSe и ионной соли RbNO3

Автор(ы) А.П. Бахтинов1, В.Н. Водопьянов1, В.И. Иванов1, З.Д. Ковалюк1 , И.Г. Ткачук1, В.В. Нетяга1, А.С. Литвин2, 3
Принадлежность

1 Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича НАНУ, Черновицкое отделение, ул. И. Вильде, 58001 Черновцы, Украина

2 Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарёва НАН Украины, просп. Науки, 41, 03028 Киев, Украина

3 Киевский университет им. Бориса Гринченко, ул. Бульварно-Кудрявская, 18/2, 04053 Киев, Украина

Е-mail chimsp@ukrpost.ua
Выпуск Том 10, Год 2018, Номер 1
Даты Получено 20.10.2017, в отредактированной форме – 02.11.2017, опубликовано online 24.02.2018
Ссылка А.П. Бахтинов, В.Н. Водопьянов, и др., Ж. нано- электрон. физ. 10 № 1, 01020 (2018)
DOI 10.21272/jnep.10(1).01020
PACS Number(s) 81.05.Hd, 81.07. – b
Ключевые слова Нанокомпозит (24) , 2D материал, Наноструктуры, Индий селен, Галлий селен.
Аннотация

В данной работе впервые исследована связь между морфологией, химическим составом и фотоэлектрическими свойствами вертикальных ионотронних наноструктур, сформированных на основе слоистого полупроводника InSe и ионной соли RbNO3. Установлено, что максимальную светочувствительность имеют наноструктуры, состоящие из 2D слоев InSe, ультратонких слоев оксида In2O3 и кольцевых наноструктур ионной соли, которые расположены в плоскостях (0001) кристалла InSe периодически вдоль его кристаллической оси С. Установлена связь между морфологией гетерограниць и спектральным распределением фотопроводимости для ионотронних наноструктур, сформированных на основе кристаллов GaSe и InSe и ионных солей MeNO3 (Me = K, Rb). Исследованы импедансные спектры, спектральное распределение фоточувствительности и морфологию поверхности вертикальных ионотронних структур, сформированных на основе 2D слоистого полупроводника n-InSe и ионной соли RbNO3.

Список литературы