Влияние электронного облучения на анизотропию електропроводности n-InSe

Автор(ы) З.Д. Ковалюк , И.В. Минтянский, П.И. Савицкий
Принадлежность

Институт проблем материаловедения им. И.Н.Францевича НАН Украины, Черновицкое отделение, ул. Ирины Вильде, 5, 58001 Черновцы, Украина

Е-mail illya.mintyanskyy@gmail.com
Выпуск Том 9, Год 2017, Номер 6
Даты Получено 19.09.2017, в отредактированной форме – 15.11.2017, опубликовано online – 24.11.2017
Ссылка З.Д. Ковалюк, И.В. Минтянский, П.И. Савицкий, Ж. нано- электрон. физ. 9 № 6, 06013 (2017)
DOI 10.21272/jnep.9(6).06013
PACS Number(s) 72.20.Dp, 72.20.Fr
Ключевые слова Селенид индия, Электронное облучение, Анизотропия электропроводности, Межслоевой барьєр, Двумерный электронный газ.
Аннотация До и после электронного облучения в диапазоне 80-400 К исследуется анитзотропия электропроводности и механизм переноса заряда поперек слоев n-InSe. Установлено, что изначально высокая, но слабо зависимая от температуры анизотропия после е-влияния существенно увеличивается и активационно изменяется с температурой. Результаты объяснены наличием планарных дефектов, стимулирующих образование потенциальных барьеров между слоями. Вместе с трехмерными электронами, которые термически активируются или туннелируют при транспорте перпендикулярно слоям, учтены и двумерные, влияющие только на продольную проводимость. Расчёты показали, что роль последних усиливается после облучения.

Список литературы

English version of article