Структура и свойства плёнок сульфида кадмия, полученных методом магнетронного распыления

Автор(ы) Р.В. Зайцев1, М.В. Кириченко1, Р.П. Мигущенко1 , Н.В. Веселова1, Г.С. Хрипунов1, А.И. Доброжан1, Л.В. Зайцева2
Принадлежность

1 Национальный технический университет «Харьковский политехнический институт», ул. Кирпичева, 2, 61002 Харьков, Украина

2 Национальный аэрокосмический университет «Харьковский авиационный институт», ул. Чкалова, 17, 61070 Харьков, Украина

Е-mail
Выпуск Том 9, Год 2017, Номер 6
Даты Получено 17.06.2017, опубликовано online – 24.11.2017
Ссылка Р.В. Зайцев, М.В. Кириченко, Р.П. Мигущенко и др., Ж. нано- электрон. физ. 9 № 6, 06020 (2017)
DOI 10.21272/jnep.9(6).06020
PACS Number(s) 68.37._d, 75.70.Ak
Ключевые слова Плёнки сульфида кадмия, Метод магнетронного распыления на постоянном токе, Оптические потери, Ширина запрещённой зоны, Кристаллическая структура.
Аннотация С целью создания экономичной, пригодной для широкомасштабного применения технологии формирования слоя широкозонного «окна» для тонкоплёночных фотоэлектрических преобразователей на основе сульфида и теллурида кадмия были проведены экспериментальные исследования влияния температуры осаждения пленок сульфида кадмия, полученных методом магнетронного распыления на постоянном токе, на их оптические свойства и кристаллическую структуру. Методом двухканальной оптической спектроскопии установлено, что осаждение плёнок сульфида кадмия при температуре 160 С позволяет формировать слои с шириной запрещённой зоны 1,41 эВ, что приближается к значению, характерному для монокристаллов, и плотностью потока фотонов, проходящих через слой сульфида кадмия в спектральном интервале фоточувствительности теллурида кадмия, на уровне 37,0 Вт•нм•см2.

Список литературы