Распределение плотности состояний для определения фотопроводимости a-Si:H

Автор(ы) О.Ю. Бабыченко А.Г. Пащенко
Принадлежность

Харьковский Национальный Университет Радиоэлектроники, пр. Науки 14, 61166 Харьков, Украина

Е-mail oksana.babychenko@nure.ua
Выпуск Том 9, Год 2017, Номер 5
Даты Получено 30.06.2017, в отредактированной форме – 09.07.2017, опубликовано online – 16.10.2017
Ссылка О.Ю. Бабыченко А.Г. Пащенко, Ж. Нано- электрон. физ. 9 № 5, 05044 (2017)
DOI 10.21272/jnep.9(5).05044
PACS Number(s) 73.50.Pz, 78.66.Jg
Ключевые слова Солнечный элемент, Аморфный кремний, Фотопроводимость, Энергетические зоны.
Аннотация В работе приведена эмпирическая модель спектральной зависимости распределения плотностей электронных состояний, которая охватывает основные особенности аморфного кремния. Показано влияние степени разупорядоченности аморфной структуры на форму и величину хвостов электронных состояний валентной зоны и зоны проводимости. Данные хвосты в запрещенной зоне влияют на многие уникальные свойства аморфных полупроводников. Результаты могут быть применены для оптимизации технологии и моделировании работы многих приборов на основе аморфного кремния (солнечных элементов, транзисторов и др.).

Список литературы