Влияние гидростатического давления на электронную структуру кристалла NiMnAs

Автор(ы) С.В. Сиротюк , И.Е. Лопатинский, В.М. Швед , Н.А. Щербань
Принадлежность

Национальный университет ”Львовская политехника”, ул. С. Бандеры, 12, 79013 Львов, Украина

Е-mail
Выпуск Том 9, Год 2017, Номер 5
Даты Получено 15.06.2017, в отредактированной форме – 07.08.2017, опубликовано online – 16.10.2017
Ссылка С.В. Сиротюк, И.Е. Лопатинский, В.М. Швед, Н.А. Щербань, Ж. нано- электрон. физ. 9 № 5, 03039 (2017)
DOI 10.21272/jnep.9(5).05039
PACS Number(s) 71.15.Ap, 71.20.Be, 71.27.+a
Ключевые слова Энергетический спектр электронов, Спиновая поляризация, Сильная корреляция электронов, Магнитный момент, Влияние гидростатического давления.
Аннотация Рассчитаны электронные энергетические спектры и плотности электронных состояний полуме-таллических кристала NiMnAs без учета давления и сильных электронных корреляций и с включением последних в расчетную схему. Выявлено большое влияние сильных корреляций 3d электронов на значение ширины запрещенной зоны кристалла. Найдено, что при отсутствии давления без учета сильных корреляций d электронов Ni и Mn кристалл характеризуется очень узкой непрямой межзонной щелью с уровнем Ферми в зоне проводимости. При отсутствии давления включение в расчет сильных корреляций приводит для носителей со спином вниз к классическому полупроводнику с уровнем Ферми в запрещенной зоне. Учет сильных корреляций и давления приводит к погружению уровня Ферми в валентную зону. Расчеты электронных свойств кристалла NiMnAs под действием гидростатического давления выполнены впервые.

Список литературы

English version of article