Влияние методов определения параметров барьерного перехода на их точность

Автор(ы) В.С. Дмитриев
Принадлежность

Запорожская государственная инженерная академия, пр. Соборный, 226, 69006 Запорожье, Украина

Е-mail dems562@gmail.com
Выпуск Том 9, Год 2017, Номер 5
Даты Получено 15.06.2017, в отредактированной форме – 13.07.2017, опубликовано online – 16.10.2017
Ссылка В.С. Дмитриев, Ж. нано- электрон. физ. 9 № 5, 05037 (2017)
DOI 10.21272/jnep.9(5).05037
PACS Number(s) 73.20. – r, 85.40.Sz, 85.30.Hi
Ключевые слова Вольт-амперная характеристика, Высота барьера Шоттки, Коэффициент неидеальности, Последовательное сопротивление, Арсенид галлия, Серебро.
Аннотация Точность основных качественных показателей барьерных переходов (высота барьера b и фактор неидеальности ), зависит от точности измерения тока и напряжения и от метода их определения. Рассмотрены и апробированы методы определения высоты барьера Шоттки по вольт-амперным характеристикам на примере барьерных переходов Ag/n - n+GaAs, изготовленных при разных режимах термообработки. Установлено, что наиболее простым в реализации является метод расчета параметров вольт-амперных характеристик по методу Rhoderick, однако он не учитывает последовательное сопротивление, из-за чего могут возникать дополнительные ошибки при определении участка вольт-амперной характеристики, где этим влиянием пренебрегают. Установлено, что наиболее точным методом является метод direct approximation, учитывающий влияние последовательного сопротивления при расчете фактора неидеальности и высоты барьера Шоттки.

Список литературы