Видимая люминесценция ІnGaN/GaN cветодиодов ультрафиолетового излучения 365 нм

Автор(ы) В.П. Велещук1, А.И. Власенко1, З.К. Власенко1, Д.Н. Хмиль1, А.М. Камуз1, И.В. Петренко2, В.П. Тартачник2, А.В. Шульга3, В.В. Борщ3
Принадлежность

1 Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева НАНУ, пр. Науки, 41, 03680 Киев, Украина

2 Институт ядерных исследований НАНУ, пр. Науки, 47, 03680 Киев, Украина

3 Полтавский национальный технический университет им. Ю. Кондратюка, пр. Первомайский, 24, 36011 Полтава, Украина

Е-mail vvvit@ukr.net
Выпуск Том 9, Год 2017, Номер 5
Даты Получено 23.07.2017, опубликовано online – 16.10.2017
Ссылка В.П. Велещук, А.И. Власенко, З.К. Власенко, и др., Ж. нано- электрон. физ. 9 № 5, 05031 (2017)
DOI 10.21272/jnep.9(5).05031
PACS Number(s) 85.60.Jb, 70.60.Fi, 81.70.Fy, 61.72.Ji
Ключевые слова УФ светодиод 365 нм, InGaN/GaN, Электролюминесценция.
Аннотация В работе изучена видимая электро- и фотолюминесценция в светодиодах ультрафиолетового излучения (  365 нм). Установлено, что при температуре 77 К желтая электролюминесценция отсутствует и возникает при возрастании тока или температуры. Измерены мощность и эффективность (Лм/Вт) излучения желтой электролюминесценции в диапазоне 450-740 нм. При снижении температуры наблюдается рост интенсивности люминесценции в области спектра 393-460…490 нм.

Список литературы

English version of article