Электронные состояния на неровной поверхности GaAs (100), созданной поверхностной акустической волной и адсорбированными атомами

Автор(ы) М.Я. Сенета , Р.М. Пелещак , В.Б. Британ
Принадлежность

Дрогобычский государственный педагогический университет имени И. Франко, ул. Ивана Франко, 24, 82100 Дрогобыч, Украина

Е-mail marsen18@i.ua
Выпуск Том 9, Год 2017, Номер 5
Даты Получено 14.08.2017, опубликовано online – 16.10.2017
Ссылка М.Я. Сенета, Р.М. Пелещак, В.Б. Британ, Ж. нано- электрон. физ. 9 № 5, 05023 (2017)
DOI 10.21272/jnep.9(5).05023
PACS Number(s) 73.20.At, 73.20.Hb, 68.60.Bs
Ключевые слова Адсорбированные атомы, Акустическая квазирелеевськая волна, Электронные состояния.
Аннотация Развита теория электронных состояний на поверхности полупроводника с неровностями, которые созданы как адсорбированными атомами, так и акустической квазирелеевськой волной. Полученo спектр поверхностных электронных состояний на адсорбированной поверхности полупроводника GaAs в длинноволновом, резонансном и коротковолновом приближениях с учетом взаимодействия первых трёх электронных гармоник при воздействии акустической квазирелеевськой волны. Показано, что зависимости энергетической ширины запрещенной зоны на поверхности полупроводника и длины пространственной локализации волновой функции электрона от концентрации адсорбированных атомов в интервале имеют немонотонный характер.

Список литературы