Influence of Characteristic Energies and Charge Carriers Mobility on the Performance of a HIT Solar Cell
| Автор(ы) | Wassila Leila Rahal1, Djaaffar Rached2 |
| Принадлежность |
1 Laboratoire d’Analyse et d’Application des Rayonnements, U.S.T.O.M.B. - B.P., 1505 El M’naouar, Oran, Algérie 2 Laboratoire de Physique des plasmas, Matériaux Conducteurs et leurs Applications, U.S.T.O.M.B. - B.P., 1505 El M’naouar, Oran, Algérie |
| Е-mail | wassilaleila@hotmail.com, djaaffar31@yahoo.fr |
| Выпуск | Том 9, Год 2017, Номер 4 |
| Даты | Получено 31.03.2017, в отредактированной форме – 25.07.2017, опубликовано online – 27.07.2017 |
| Ссылка | Wassila Leila Rahal, Djaaffar Rached, J. Nano- Electron. Phys. 9 No 4, 04001 (2017) |
| DOI | 10.21272/jnep.9(4).04001 |
| PACS Number(s) | 73.61.Jc, 71.20.Mq, 88.40.hj, 88.40.jj |
| Ключевые слова | HIT solar cell (3) , Amorphous silicon (7) , Crystalline silicon (8) , Characteristics energies, Band tails, Mobility (9) , ASDMP (2) . |
| Аннотация | In this article, two factors that limit the performance of HIT solar cells (Heterojunction with Intrinsic Thin layer) based on amorphous silicon / crystalline silicon are studied. First, we study the influence of the valence band tail width (characteristic energy ED) and the conduction band tail width (characteristic energy EA) of hydrogenated amorphous silicon [1]. Then we analyze the effect of electrons mobility n and holes mobility p in the emitter of the structure ITO/p-a-Si:H /i-pm-Si:H /n-c-Si/Al. Our results show that a decrease of ED in the p-a-Si: H layer decreases the donors density of states in the gap, as well as holes recombination in this layer. However, no amelioration is observed when EA decreases. Furthermore, we show that increasing the mobility of charge carriers n and p, enhance the performance of the studied solar cells. |
|
Список литературы |
Другие статьи этого номера
1) The Performance Optimization of Thin-Film Solar Converters Based on n-ZnMgO / p-CuO Heterojunctions [04002-1-04002-4]2) Synthesis and Characterization of a New Aluminium Complex Bis (5-choloro-8-hydroxyquinoline)(2,2’bipyridine) Aluminium Al(Bpy)(5-Clq)2 [04003-1-04003-4]
3) Small Signal Parameter Extraction of III-V Heterojunction Surrounding Gate Tunnel Field Effect Transistor [04004-1-04004-4]
4) A Simple Approach on Synthesis of TiO2 Nanoparticles and its Application in dye Sensitized Solar Cells [04005-1-04005-6]
5) Study and Analysis of SBD Detector Sensitivity Based on Au-InP and Au-GaAs Structures [04006-1-04006-5]
6) Impact of SWCNT Band Gaps on the Performance of a Ballistic Carbon Nanotube Field Effect Transistors (CNTFETs) [04007-1-04007-5]
7) Влияние структурно-фазового состояния на магниторезистивные свойства пленочных систем на основе FexNi100 – x и Cu [04008-1-04008-5]
8) Polaron Model of Traps and their Activation Energies in KBr Crystals [04009-1-04009-5]
9) Изменение проводимости кремниевых структур в атмосфере оксида азота: квантовохимическое моделирование [04010-1-04010-6]
10) Магниторезистивные и магнито-оптические эффекты в гранулированных пленочных сплавах на основе Co, Au и Fe [04011-1-04011-6]
11) New Higher Excited Energy Levels of Rydberg States for Weakest Bound Potential Model Theory: Extended Quantum Mechanics [04012-1-04012-7]
12) Особенности модифицирующей обработки низкоуглеродистых сталей сильноточными релятивистскими пучками электронов [04013-1-04013-6]
13) Влияние параметров магнетронного распыления на структуру и субструктурные харак-теристики пленок диборида тантала [04014-1-04014-5]
14) Модифицированный метод измерения величины спонтанной поляризациисегнетоэлектрических жидких кристаллов [04015-1-04015-5]
15) Электрон-фотонная эмиссия азотистого основания нуклеиновых кислот – цитозина в твердой фазе [04016-1-04016-5]
16) Наноструктурованые материалы на основе гидроксиапатита и альгината в медицине [04017-1-04017-12]
17) Comparative Analysis of CNTFET and CMOS Logic based Arithmetic Logic Unit [04018-1-04018-4]
18) Development of Numerical Method for Optimizing Silicon Solar Cell Efficiency [04019-1-04019-6]
19) Фотоэлектрическое преобразование сигнала в глубоком p-n- переходе как способ детектирования карбоновых нанотрубок с адсорбированным сульфанолом в водном растворе [04020-1-04020-6]
20) Формирование фотоакустического отклика в наноструктурированных композитных системах «пористая матрица - жидкость» [04021-1-04021-7]
21) Magnetic First-order Phase Transitions in Nano-cluster Systems within the Framework of Landau Approximation [04022-1-04022-5]
22) Закономерности формирования нитридных покрытий на основе многокомпонентных сплавов [04023-1-04023-5]
23) Энергетический спектр сигналов акустической эмиссии в сложных средах [04024-1-04024-5]
24) Первопринципное моделирование взаимодействия краевой дислокации с примесными атомами кислорода и углерода в кремнии [04025-1-04025-4]
25) Режим сверхбыстрого атомного транспорта и другие процессы в сплаве титана, модифицированого ионной и циклической термической обработкой [04026-1-04026-6]
26) Исследование электрических полей приемного пьезокерамического преобразователя с согласующим слоем [04027-1-04027-7]
27) Thermoelectric Properties of the Colloidal Bi2S3-Based Nanocomposites [04028-1-04028-3]