CdTe детекторы Х/γ- излучения с MoOx контактами

Автор(ы) О.Л. Маслянчук1, М.Н. Солован1, В.В. Брус1,2, Э. В. Майструк1, С.В. Солодин1
Принадлежность

1 Черновицкий национальний университет имени Юрия Федьковича, ул. М. Коцюбинського, 2, 58012 Черновцы, Украина

2 Institute for Silicon Photovoltaics, Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie GmbH, Berlin, Germany

Е-mail emaslyanchuk@yahoo.com
Выпуск Том 9, Год 2017, Номер 3
Даты Получено 12.04.2017, в отредактированной форме – 20.04.2017, опубликовано online – 30.06.2017
Ссылка О.Л. Маслянчук, М.Н. Солован, В.В. Брус, и др., Ж. нано- электрон. физ. 9 № 3, 03035 (2017)
DOI 10.21272/jnep.9(3).03035
PACS Number(s) 71.55.Gs, 73.30. + y
Ключевые слова CdTe (9) , MoOx, Детекторы излучения, Диоды Шоттки, Перенос заряда, Токи ограниченные пространственным зарядом.
Аннотация Исследованы электрические характеристики гетероструктур Mo-MoOx/р-CdTe/MoOx-Mo, изготовленных методом магнетронного напыления пленок оксида молибдена на полуизолирующие кристаллы CdTe производства Acrorad Co. Ltd. Оптимизация условий предварительной обработки подложек и нанесения контактов позволила уменьшить темновой ток детектора по сравнению с ранее полученными аналогами и, как следствие, улучшить его спектрометрические характеристики. Проанализированы механизмы переноса заряда, обеспечивающие низкие значения обратных токов в исследуемых структурах: генерация-рекомбинация в области пространственного заряда (ОПЗ) при относительно низких напряжениях и токи, ограниченные объемным зарядом, при высоких напряжениях. Показано, что гетероструктуры Mo-MoOx/р-CdTe/MoOx-Mo могут быть использованы для практического применения в детекторах X- и -излучения.

Список литературы