Формирование квантовых точек InAs в матрице GaAs в кинетическом режиме для CVD-метода

Автор(ы) С. К. Губа
Принадлежность

Национальный университет “Львовская политехника”, ул. С. Бандэры, 12, 79013 Львов, Украина

Е-mail gubask@polynet.lviv.ua
Выпуск Том 9, Год 2017, Номер 3
Даты Получено 14.02.2017, в отредактированной форме – 27.02.2017, опубликовано online – 30.06.2017
Ссылка С. К. Губа, Ж. нано- электрон. физ. 9 № 3, 03026 (2017)
DOI 10.21272/jnep.9(3).03026
PACS Number(s) 68.65. Hb, 81.10.Aj
Ключевые слова Квантовая точка, Самоорганизация, Кинетический режим, CVD-метод.
Аннотация Представлены теоретические результаты исследования при кинетическом режиме формирования квантовых точек InAs в системе InAs/GaAs. Теория может быть использована на кинетической стадии, когда ансамбль квантовых точек является невзаимодействующим. Проведенные оценочные расчеты характеристик кинетики формирования КТ InAs в матрице GaAs, и их структурных свойств для CVD- метода. Рассчитаные результаты могут быть использованы для анализа технологии гетеронаноструктур In1 – xGaxAs/InAs/GaAs для CVD-метода. Кроме того, они полезны для моделирования структурных свойств КТ InAs в системе InAs/GaAs.

Список литературы

English version of article