Влияние обработки поверхности Si на электрические свойства гетероструктур p-NiO/n-Si

Автор(ы) Г.П. Пархоменко, М.Н. Солован, П.Д. Марьянчук
Принадлежность

Черновицкий национальный университет имени Юрия Федьковича, ул. Коцюбинского, 2, 58012 Черновцы, Украина

Е-mail
Выпуск Том 9, Год 2017, Номер 3
Даты Получено 20.02.2017, опубликовано online – 30.06.2017
Ссылка Г.П. Пархоменко, М.Н. Солован, П.Д. Марьянчук, Ж. нано- электрон. физ. 9 № 3, 03024 (2017)
DOI 10.21272/jnep.9(3).03024
PACS Number(s) 73.40. – c
Ключевые слова Гетероструктура (10) , Тонкая пленка, Механизмы токопереноса, NiO (17) , Si (500) .
Аннотация Изготовлены гетероструктуры p-NiO/n-Si методом реактивного магнетронного напыления тонких пленок оксида никеля на подложки из кристаллов n-Si. Показано влияние обработки подложек Si на электрические свойства гетероструктур. Исследованы их темновая вольт-амперные характеристикипри комнатной температуре. Установлено, что основными механизмами токопереноса при прямом смещении является многоступенчатый туннельный механизм токопереноса с участием поверхностных состояний на границе раздела p-NiO/n-Si и туннелирования, при обратных смещениях – туннелирование и эмиссия Френкеля-Пула.

Список литературы

English version of article