Тонкие пленки теллурида кадмия для гибких солнечных элементов, полученные методом магнетронного распыления

Автор(ы) Р.В. Зайцев1 , Г.С. Хрипунов1 , Н.В. Веселова1, М.В. Кириченко1 , Н.М. Харченко1, Л.В. Зайцева2
Принадлежность

1 Национальный технический университет «Харьковский политехнический институт », ул. Кирпичева, 2, 61002 Харьков, Украина

2 Национальный аэрокосмический университет «Харьковский авиационный институт », ул. Чкалова, 17, 61070 Харьков, Украина

Е-mail
Выпуск Том 9, Год 2017, Номер 3
Даты Получено 03.04.2017, в отредактированной форме – 17.04.2017, опубликовано online – 30.06.2017
Ссылка Р.В. Зайцев, Г.С. Хрипунов, Н.В. Веселова, и др., Ж. нано- электрон. физ. 9 № 3, 03015 (2017)
DOI 10.21272/jnep.9(3).03015
PACS Number(s) 68.37._d, 75.70.Ak
Ключевые слова Пленочный фотоэлектрический преобразователь на основе сульфида и теллурида кадмия, Метод магнетронного распыления на постоянном токе, «хлоридная» обработка, Гексагональная и кубическая модификация.
Аннотация С целью создания тонкопленочных фотоэлектрических преобразователей на основе сульфида и теллурида кадмия проведены экспериментальные исследования процесса магнетронного распыления на постоянном токе теллурида кадмия и влияние режимов магнетронного распыления на кристаллическую структуру пленок CdTe. Впервые на гибких полиимидных подложках методом магнетронного распыления на постоянном токе получены пленки CdTe для базовых слоев пленочных фотоэлектрических преобразователей. Экспериментально показано, что «хлоридная» обработка полученных слоев теллурида кадмия приводит к трансформации метастабильной гексагональной модификации теллурида кадмия в стабильную кубическую. При этом за счет эвтектической перекристализации наблюдается рост размеров областей когерентного рассеивания на порядок и снижение в 1,5 раза уровня микродеформаций.

Список литературы