Эмиссия фотонов при взаимодействии электронов с поверхностью наногетероструктур

Автор(ы) Л.М. Маркович, М.І. Лінтур, М.В. Приходько, Г.Ю. Подгорецька
Принадлежность

Ужгородский национальный университет, ул. Пидгирна, 46, 88000 Ужгород, Украина

Е-mail pnilfe_lyuba@mail.ru
Выпуск Том 9, Год 2017, Номер 3
Даты Получено 30.11.2016, в отредактированной форме – 30.01.2017, опубликовано online – 30.06.2017
Ссылка Л.М. Маркович, М.І. Лінтур, М.В. Приходько, Г.Ю. Подгорецька, Ж. Нано- электрон. физ. 9 № 3, 03012 (2017)
DOI 10.21272/jnep.9(3).03012
PACS Number(s) 78.68. + m
Ключевые слова Электронно-фотонная спектроскопия, Фотон (7) , Электрон, Бомбардировка, Эмиссия.
Аннотация Получено количественные данные о спектральном составе и интенсивность излучения в диапазоне 200 – 800 нм при облучении электронами с энергией Еп  450 эВ пленок As2S3 и многослойных пленок Se/As2S3, Тe/As2S3 и Ві/As2S3. Установлено природу излучателей основных компонент, которые выявлены в исследуемых спектрах, а также место локализации наблюдаемого свечения. Важным результатом работы является определение абсолютного выхода фотонов с поверхности исследуемых образцов, которые составляют соответственно для As2S3 N1  1.75 • 10 – 3фот./эл., N2  7.57 • 10 – 4 фот./эл.и для многослойных пленок N3  1.8 • 10 – 3 фот./эл., N4  8.8 • 10 – 4 фот./ эл., N5  1.3 • 10 – 3 фот./эл.

Список литературы

English version of article