Переходные процессы в микроэлектронных композициях Ag-Ge-In/n-GaAs

Автор(ы) В.С. Дмитриев , Л.Б. Дмитриева
Принадлежность

Запорожская государственная инженерная академия, пр. Соборный, 226, 69006 Запорожье, Украина

Е-mail dems562@gmail.com
Выпуск Том 9, Год 2017, Номер 2
Даты Получено 22.02.2017, в отредактированной форме – 27.04.2017, опубликовано online – 28.04.2017
Ссылка В.С. Дмитриев, Л.Б. Дмитриева, Ж. нано- электрон. физ. 9 № 2, 02027 (2017)
DOI 10.21272/jnep.9(2).02027
PACS Number(s) 73.20. – r, 85.40.Sz, 85.30.Hi
Ключевые слова Арсенид галлия, Тройной сплав, Омический контакт, Удельное переходное сопротивление, Приконтактная область, Отжиг, Переходной слой, Структура (147) .
Аннотация В настоящее время понимание структуры границ раздела металл-полупроводник по большей части строится на опытных данных. Это связано с многообразием факторов, влияющих на характер процессов, протекающих на межфазных границах полупроводника и слоя металлизации. Исследована микроэлектронная композиция на основе тройного сплава Ag-Ge-In (75 % Ag, 20 % Ge, 5 % In по весу). Материал подложки эпитаксиальный монокристаллический n-n+ GaAs (111) В, nэ.сл.  2∙1016 см – 3, подвижность   5000 см2/(В∙с). Установлено влияние предварительного отжига GaAs – пластины на удельное переходное сопротивление исследуемого контакта. Предложена феноменологическая модель формирования омического контакта Ag-Ge-In/n-GaAs (111), которая позволяет установить зависимость между параметрами контакта и режимами термообработки. Установлено, что при взаимодействии пленки тройного сплава с приповерхностным слоем арсенида галлия происходит образование избыточного Ga, который создает с серебром легкоплавкие сплавы и химические соединения, влияющие на величину сопротивления контакта. Термообработка структуры Ag-Ge-In/n-GaAs (111) приводит к взаимодиффузии Ge и Ag в приконтактной области и формированию поликристаллической, многофазной, мелкозернистой и достаточно равномерной пленки.

Список литературы

English version of article