Фотолюминесцентные свойства PECVD пленок на основе Si, C, N

Автор(ы) А.К. Порада1, В.С. Манжара2, А.А. Козак1, В.И. Иващенко1, Л.А. Иващенко1
Принадлежность

1 Институт проблем материаловедения НАН Украины, ул. Кржижановского, 3, 03142 Киев, Украина

2 Институт физики НАН Украины, пр. Науки, 46, 03028 Киев, Украина

Е-mail o-porada@ukr.net, fizyka@iop.kiev.ua
Выпуск Том 9, Год 2017, Номер 2
Даты Получено 01.03.2017, в отредактированной форме – 25.04.2017, опубликовано online – 28.04.2017
Ссылка А.К. Порада, В.С. Манжара, А.А. Козак, и др., Ж. нано- электрон. физ. 9 № 2, 02022 (2017)
DOI 10.21272/jnep.9(2).02022
PACS Number(s) 81.15.Gh, 73.61.Jc
Ключевые слова Фотолюминесценция, PECVD (6) , гексаметилдисилазан, Si-C-N пленки, FTIR (22) , Оптические спектры.
Аннотация Твердые Si-C-N пленки с аморфной структурой и сверхнизкой шероховатостью полученные на кремниевых подложках плазмохимическим (PECVD) методом с гексаметилдисилазана с добавлением водорода и азота при различных напряжениях смещения (Ud) на подложках (от – 5 до – 250 В). Исследованы фотолюминесцентные и оптические спектры полученных образцов, а также их твердость. Для интерпретации свойств пленок изучено их инфракрасные спектры поглощения. При отрицательных напряжениях смещения на подложке больше чем – 100 В, спектры фотолюминесценция имеют два пика, становятся меньше по интенсивности и смещаются в низкоэнергетическую область спектра. Допускается, что это связано с увеличением количества Si-C связей в аморфной Si-C-N матрице, и с ростом неупорядоченности аморфной структуры пленок при увеличении напряжения Ud, что следует из анализа спектров инфракрасного поглощения, оптических спектров, а также результатов исследования твердости пленок.

Список литературы

English version of article