Структура и сорбционные характеристики порошков ферритов NiCrxFe2 – xO4
| Автор(ы) | В.С. Бушкова1 , И.П. Яремий1 , Р.П. Лисовский2 , Б.В. Карпик1 |
| Принадлежность | 1 ГВНЗ «Прикарпатский национальный университет имени Василия Стефаника», ул. Шевченко, 57, 76025 Ивано-Франковск, Украина 2 Институт металлофизики им. Г.В. Курдюмова НАН Украины, ул. акад. Вернадского, 36, 03680 Киев, Украина |
| Е-mail | bushkovavira@gmail.com |
| Выпуск | Том 9, Год 2017, Номер 2 |
| Даты | Получено 29.11.2016, опубликовано online – 28.04.2017 |
| Ссылка | В.С. Бушкова, И.П. Яремий, Р.П. Лисовский, Б.В. Карпик, Ж. нано- електрон. физ. 9 No 2, 02011 (2017) |
| DOI | 10.21272/jnep.9(2).02011 |
| PACS Number(s) | 81.07.Wx, 61.05.cp, 61.46. – w, 68.43. – h |
| Ключевые слова | Феррит, Золь-гель технология, Параметр решетки, Катионное распределение, Удельная площадь поверхности. |
| Аннотация | Порошки никель-хромовых ферритов были получены методом золь-гель с участием автогорения. Х-лучевой анализ показал присутствие только одной фазы, которая соответствует кубической структуре шпинели пространственной группы Fd3m. Катионное распределение по тетра- и октаподґраткам показал, что порошки Ni-Cr ферритов относятся к группе обращенных шпинелей. Рассчитано междуионные расстояния элементарной решетки структуры шпинели. Выявлено, что средний размер областей когерентного рассеяния полученных порошков находится в пределах 23 – 43 нм. Установлено, что Х-лучевая плотность dx и анионный параметр u растут, в то время как параметр решетки а линейно убывает с увеличением концентрации ионов Cr3+. Удельная площадь поверхности S∑ исследуемых порошков находится в интервале 7.2 – 17.1 м2/г. В порошках никель-хромовых ферритов присутствуют как мезо-, так и микропоры, причем по количеству преобладают мезопоры с эффективным диаметром 3.9 нм. |
|
Список литературы English version of article |
Другие статьи этого номера
1) Effect of Single and Double Layer Antireflection Coating to Enhance Photovoltaic Efficiency of Silicon Solar [02001-1-02001-4]2) Sonochemical Synthesis of AgInS2 Quantum Dots and Characterisation [02002-1-02002-4]
3) Assessment of the H2 Followed by Air Sintering of Co-doped In2O3 Based Diluted Magnetic Semiconductors [02003-1-02003-3]
4) Analysis on Solar Panel Crack Detection Using Optimization Techniques [02004-1-02004-6]
5) Effect the Technique of Light Trapping on the Performance of Simple Junction n-p Solar Cells Based on GaAs and Si [02005-1-02005-3]
6) Smoluchowski Formulation for Simulation of Nano Core-Shell Structure Creation in Nanoparticle Fabrication by Laser Ablation in Liquid Media Process [02006-1-02006-4]
7) Получение нанокристаллов ZnS методом самораспространяющегосявысокотемпературного синтеза [02007-1-02007-4]
8) Гибкие солнечные элементы на основе базовых слоев CdTe, полученных методом магнетронного распыления [02008-1-02008-5]
9) Получение нанокомпозита анатаз / брукит с контролированными структурно- морфологическими характеристиками [02009-1-02009-6]
10) Управляемая полосно-пропускающая линия передачи на основе одноосных монокристаллических гексаферритов в доменной области [02010-1-02010-5]
11) Энергетический спектр сигналов акустической эмиссии наноразмерных объектов [02012-1-02012-4]
12) Two-Dimensional Graphene Superlattice:Energy Spectrum and Current-Voltage Characteristics [02013-1-02013-4]
13) Влияние синтетических дискретных волокон на свойства эпоксидных композитов для защитных покрытий [02014-1-02014-5]
14) Влияние тантала на текстуру вакуумных конденсатов меди [02015-1-02015-4]
15) Влияние примеси бора на структуру и механические свойства гафния [02016-1-02016-5]
16) The Exact Nonrelativistic Energy Eigenvalues for Modified Inversely Quadratic Yukawa Potential Plus Mie-type Potential [02017-1-02017-7]
17) Термостимулированная люминесценция нанопроволок ZnO [02018-1-02018-3]
18) Thermally Evaporated Tin Oxide Thin Film for Gas Sensing Applications [02019-1-02019-4]
19) Тонкие пленки аморфных молекулярных полупроводников для создания поверхностных темплатов упорядоченных структур [02020-1-02020-6]
20) Магниторезистивный эффект в гранулированных пленочных сплавах на основе Ag и Fe или Со [02021-1-02021-4]
21) Фотолюминесцентные свойства PECVD пленок на основе Si, C, N [02022-1-02022-6]
22) Температурная зависимость спектров ЯКР и параметров кристаллической решетки InSe [02023-1-02023-4]
23) Кинетические эффекты, обусловленные флуктуациями толщиныквантовой полупроводниковой проволоки [02024-1-02024-4]
24) Оствальдовское созревание квантовых точек InAsSbР в рамках модифицированной теории ЛСВ [02025-1-02025-6]
25) Методика получения и свойства износостойких покрытий на основе Ti и N и Ti, Al и N [02026-1-02026-7]
26) Переходные процессы в микроэлектронных композициях Ag-Ge-In/n-GaAs [02027-1-02027-5]
27) О критическом размере перехода ферромагнетика в однодоменное состояние [02028-1-02028-17]
28) Понижение степени межфазного перемешивания в многослойных рентгеновских зеркалах Sс/Si [02029-1-02029-6]
29) Расчеты электронной структуры объемных кристаллов и нанокристаллов группы АIIВVI (CdS, CdSe) методом модельного нелокального псевдопотенциала [02030-1-02030-7]
30) Компьютерное моделирование радиационно-стимулированных структурных изменений и свойства многопериодной системы ZrNx/MoNx [02031-1-02031-5]
31) Формирование регулярных доменных структур в сегнетоэлектриках при переключении поляризации в сильнонеравновесных условиях [02032-1-02032-7]
32) Characterization of Thermally Oxidized Ti6Al4V Alloys for Dental Application [02033-1-02033-3]
33) Research of the Vacancy Migration Process on the Surface of BC Nanolayer [02034-1-02034-2]