Влияние одноосного давления на σ2-проводимость сильно легированного p-Si(B)

Автор(ы) Л.И. Панасюк1, В.В. Коломоец2, В.Н. Ермаков2, С.А. Федосов3
Принадлежность

1 Луцкий национальный технический университет, ул. Львивська, 75, 43018 Луцк, Украина

2 Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева НАН Украины, пр. Науки, 41, 03028 Киев, Украина

3 Восточноевропейский национальный университет имени Леси Украинки, пр. Воли, 13, 43025 Луцк, Украина

Е-mail leonid9030@gmail.com
Выпуск Том 9, Год 2017, Номер 1
Даты Получено 13.12.2016, в отредактированной форме – 08.02.2017, опубликовано online – 20.02.2017
Ссылка Л.И. Панасюк, В.В. Коломоец, В.Н. Ермаков, С.А. Федосов, Ж. нано- электрон. физ. 9 No 1, 01020 (2017)
DOI 10.21272/jnep.9(1).01020
PACS Number(s) 72.20.Fr
Ключевые слова Кристалл (2) , Примесная проводимость, Анизотропия, Одноосное давление, Тензорезистивный эффект, Кристаллографическое направление.
Аннотация В работе представлены результаты исследований тензорезистивного эффекта в сильно деформированных слабоизоляторных кристаллах р-Si(В) в области σ2-проводимости для главных кристаллографических направлений , и . Работа преследует цель исследовать влияние сильного одноосного давления на примесную σ2-проводимость в кристаллах p-Si(B) с концентрацией примесей, которая приближается к критической концентрации перехода металл-изолятор и установить механизмы исследуемых эффектов. Установлено, что немонотонные зависимости продольного тензорезистивного эффекта для главных кристаллографических ориентаций и их анизотропия определяются изменением эффективных масс тяжелых дырок с давлением, обусловленным соответствующими закономерностями перестройки энергетического спектра валентной зоны за счет снятия вырождения зон тяжелых и легких дырок при одноосном давления.

Список литературы

English version of article