Влияние межфазной границы раздела на параметры барьерных переходов металл-полупроводник

Автор(ы) В.С. Дмитриев
Принадлежность

Запорожская государственная инженерная академия, пр. Соборный, 226, 69006, Запорожье, Украина

Е-mail dems562@gmail.com
Выпуск Том 9, Год 2017, Номер 1
Даты Получено 25.05.2016, в отредактированной форме – 07.02.2017, опубликовано online – 20.02.2017
Ссылка В.С. Дмитриев, Ж. нано- электрон. физ. 9 № 1, 01016 (2017)
DOI 10.21272/jnep.9(1).01016
PACS Number(s) 73.20. – r, 85.40.Sz, 85.30.Hi
Ключевые слова Арсенид галлия, Серебро, Барьер Шоттки, Приконтактная область, Отжиг, Переходной слой, Структура (158) .
Аннотация В настоящее время исследования и разработка гетеропереходов ведутся в направлениях разработки технологических режимов создания промежуточных фаз на границе металл-полупроводник для снижения влияния поверхностных состояний на работу приборов с барьерами Шоттки. Недостаточно изучено влияние межфазной границы раздела на высоту барьера Шоттки φBn, хотя предполагается, что его электрофизические свойства во многом определяются состоянием структуры в зоне контакта. Исследовались структуры Ag/n-GaAs(111). Параметры подложки: n-n+GaAs(111)В эпитаксиальный монокристаллический, dэ.сл  2 мкм, nэп.сл.  21016 см – 3, nподл  1018 см – 3,   5000 см2/(Вc). Барьерные переходы изготавливали в вакууме (р  2,66 10 – 3 Па) термическим испарением. GаAs-подложка обрабатывалась в смеси толуола и метанола (1:2), в полирующем травителе 3H2SO4-1H2O2-1H2O; выдерживалась в диоксиянтарной кислоте НООС-СН(ОН)-СН(ОН)-СООН. Отжиг структур проводили в интервале температур 723…873 К в течение 5…15 минут. Рекомендуемый режим термической обработки для получения барьеров Шоттки Ag/n-GaAs(111) с высотой потенциального барьера порядка 0,95 В: температура отжига – 823 К, продолжительность отжига ‑ 10 минут. Установлено влияние температурного фактора на диффузию мышьяка и галлия в пленку серебра, что приводит к формированию переходных областей неоднородного химического состава.

Список литературы

English version of article