Влияние условий роста кристаллов теллурида кадмия из сверхстехиометрическим кадмием на их электрофизические свойства

Автор(ы) П.М. Фочук1, Е.С. Никонюк2, З.И. Захарук1, А.И. Раренко1, А.С. Опанасюк3 , , М.А. Ковалец2, В.Я. Левшенюк2
Принадлежность

1 Черновицкий национальный университет имени Юрия Федьковича, ул. Коцюбинского, 2, 58012 Черновцы, Украина

2 Национальный университет водного хозяйства и природопользования, ул. Соборная, 11, 33028 Ровно, Украина

3 Сумский государственный университет, ул. Римского-Корсакова, 2, 40007 Сумы, Украина

Е-mail fochukp@gmail.com
Выпуск Том 9, Год 2017, Номер 1
Даты Получено 02.11.2016, в отредактированной форме – 07.02.2017, опубликовано online – 20.02.2017
Ссылка П.М. Фочук, Е.С. Никонюк, З.И. Захарук, и др., Ж. нано- электрон. физ. 9 № 1, 01007 (2017)
DOI 10.21272/jnep.9(1).01007
PACS Number(s) 71.55.Gs, 72.20.Jv, 81.10.Fq
Ключевые слова Теллурид кадмия, Стехиометрия, Отжиг, Электрофизические свойства, Включения другой фазы.
Аннотация Показано, что электрофизические характеристики кристаллов теллурида кадмия с надстехиометрическим кадмием, выращенных методом Бриджмена, определяются предростовой температурой расплава. В случае небольшого перегрева расплава (ΔТ  15 К) были получены кристаллы р-типа с широким диапазоном электрических параметров: концентрацией дырок р  (1010  1016) см – 3 и подвижностью р  (10  70) см2/(Вс) при 300 К. Если же расплав был предварительно значительно перегретым (ΔТ ≈ 40  65 К), то были выращены однородные кристаллы n-типа, в которых n  (1014  1015) см – 3, n  (500  1110) см2/(Вс) при 300 К. Кристаллы n-типа сохраняли стабильность при нагревании до 720 К, в это же время в кристаллах р-типа при нагревании до Т  370 К наблюдались релаксационные процессы гистерезисного типа.

Список литературы

English version of article