Boron Monolayer χ3-type. Formation of the Vacancy Defect and Pinhole

Автор(ы) E.V. Boroznina , O.A. Davletova , I.V. Zaporotskova
Принадлежность

Volgograd State University, 100, Universitetskij prosp., 400062 Volgograd, Russia

Е-mail extrajenya@bk.ru
Выпуск Том 8, Год 2016, Номер 4
Даты Получено 17.07.2016, в отредактированной форме – 24.11.2016, опубликовано online – 30.11.2016
Ссылка E.V. Boroznina, O.A. Davletova, I.V. Zaporotskova, J. Nano- Electron. Phys. 8 No 4(2), 04054 (2016)
DOI 10.21272/jnep.8(4(2)).04054
PACS Number(s) 61.72.jd, 75.70.Ak
Ключевые слова Boron monolayer, Pinhole, Vacancy formation, Theoretical research.
Аннотация This research is focused on a local vacancy defect formation and pinholes formation in a two-dimensional boron structure – boron monolayer 3 - type. The main characteristics of defects formation have been carried out by using the semi-empirical quantum-chemical scheme MNDO. The variants of atomic configurations which give pinholes defect have been found.

Список литературы