Структурная инженерия многопериодных покрытий ZrN/MoN

Автор(ы) О.В. Соболь1 , А.А. Мейлехов1 , В.А. Столбовой2 , А.А. Постельник1
Принадлежность

1НТУ «Харьковский политехнический институт», ул. Кирпичева, 21, 61002 Харьков, Украина

2ННЦ «Харьковский физико-технический институт», ул. Академическая, 1, 61108 Харьков, Украина

Е-mail
Выпуск Том 8, Год 2016, Номер 3
Даты Получено 15.06.2016, опубликовано online – 03.10.2016
Ссылка О.В. Соболь, А.А. Мейлехов, В.А. Столбовой, А.А. Постельник, Ж. нано- электрон. физ. 8 № 3, 03039 (2016)
DOI 10.21272/jnep.8(3).03039
PACS Number(s) 52.77.Dq, 81.07.Bc, 61.05.cp, 61.82.Rx, 68.55.jm
Ключевые слова Многослойное покрытие ZrN/MoN, Толщина слоев, Потенциал смещения, Структура (156) , Наноразмер кристаллитов, Твердость.
Аннотация Используя метода структурной инженерии путем изменения толщины слоев в многопериодной системе ZrN/MoN исследовано влияния фазово-текстурного состояния кристаллитов и их размера на твердость вакуумно-дуговых покрытий. Выявлено определяющее влияние ZrN слоев на формирование преимущественной ориентации роста с осью [100] при малой толщине слоев 7-20 нм (время осаждения 3 -10 сек). При большой толщине слоев определяющим текстуру [311] являются кристаллиты -Mo2N фазы, формируемой в Mo-N слоях. Импульсная высоковольтная стимуляция не меняя тип структурных состояний для разных толщин слоев, приводит к частичной разориентации текстуры при большой толщине слоев. Твердость покрытий с толстыми (80 нм) слоями составляет 35-37 ГПа. В слоях малой толщины импульсная стимуляции подвижности атомов приводит к формированию планарной структуры со средним размером кристаллитов в слоях 4-9 нм, что сопровождается повышением твердости до 44 ГПа.

Список литературы