Фотоэлектрические свойства гетеропереходов собственный оксид - p-In4Se3

Автор(ы) В.Н. Катеринчук1, З.Д. Ковалюк1, Б.В. Кушнир1, О.С. Литвин2
Принадлежность

1 Институт проблем материаловедения им. И.М. Францевича НАН Украины, Черновицкое отделение, ул. И. Вильде, 5, 58001 Черновцы, Украина

2 Институт физики полупроводников им. В.Є. Лашкарьова НАН Украины, пр. Науки, 41, 03028 Киев, Украина.

Е-mail KushnirBV@gmail.com
Выпуск Том 8, Год 2016, Номер 3
Даты Получено 15.03.2016, опубликовано online – 03.10.2016
Ссылка В.Н. Катеринчук, З.Д. Ковалюк, Б.В. Кушнир, О.С. Литвин, Ж. нано- электрон. физ. 8 № 3, 03032 (2016)
DOI 10.21272/jnep.8(3).03032
PACS Number(s) 61.43.Dq, 75.50.Pp, 75.60Ej
Ключевые слова Селенид индия, Слоистые кристаллы, Гетеропереходы, Спектральные характеристики, Вольт-амперные характеристики.
Аннотация Методом термического окисления полупроводниковой подложки создан новый гетеропереход собственный оксид – p-In4Se3. На основе анализа электрических и фотоэлектрических характеристик гетероперехода построена его качественная зонная диаграмма. Особенностью данного гетероперехода является механизм протекания тока через барьер, который определяется не диффузией носителей, а термоэлектронной эмиссией. Представлены также АСМ-изображения поверхности оксидного слоя и спектр фоточувствительности исследуемого гетероперехода.

Список литературы

English version of article