Features of Formation of Ohmic Contacts and Gate on Epitaxial Heterostructure of AlGaN / GaN High Electron Mobility Transistor

Автор(ы) I.A. Rogachev, A.V. Knyazkov, O.I. Meshkov, A.S. Kurochka
Принадлежность

JSC "RPC "Istok" named after Shokin", 2A, Vokzalnaya st., 141190 Fryazino, Moscow region, Russia

Е-mail
Выпуск Том 8, Год 2016, Номер 2
Даты Получено 12.03.2016, опубликовано online – 21.06.2016
Ссылка I.A. Rogachev, A.V. Knyazkov, O.I. Meshkov, A.S. Kurochka, J. Nano- Electron. Phys. 8 No 2, 02044 (2016)
DOI 10.21272/jnep.8(2).02044
PACS Number(s) 73.40.Lq, 85.30.Kk
Ключевые слова Gallium nitride (2) , Ohmic contacts (2) , Encapsulation, Gate AlGaN / GaN HEMT.
Аннотация Reported about study of processes of formation of Ti / Al / Ni / Au ohmic contacts to heterostructures AlGaN / GaN and gate Ni / Au. Investigated of process recess the semiconductor layer for minimum resistance of ohmic contact – 0.4 Ohm·mm. Studied influence of encapsulation ohmic contacts on their surface morphology.

Список литературы