Структура и магниторезистивные свойства трехслойных пленочных систем на основе пермаллоя и меди

Автор(ы) Ю.А. Шкурдода1 , А.Н. Чорноус1 , В.Б. Лобода1 , Ю.М. Шабельник1, В.А. Кравченко2, Л.В. Дехтярук3
Принадлежность

1 Сумский государственный университет, ул. Римского-Корсакова, 2, 40007 Сумы, Украина

2 Сумский государственный педагогический университет имени А.С. Макаренко, ул. Роменская, 87, 40002 Сумы, Украина

3 Харьковский национальный университет Харківський національний університет строительства и архитектуры, ул. Сумская, 40, 61002 Харьков, Украина

Е-mail kabmet@ukr.net
Выпуск Том 8, Год 2016, Номер 2
Даты Получено 21.02.2016, в отредактированной форме – 14.05.2016, опубликовано online – 21.06.2016
Ссылка Ю.А. Шкурдода, А.Н. Чорноус, В.Б. Лобода, и др., Ж. нано- электрон. физ. 8 № 2, 02056 (2016)
DOI 10.21272/jnep.8(2).02056
PACS Number(s) 61.05.J –, 61.72. – y, 81.40.Gh
Ключевые слова Многослойная пленочная система, Кристаллическая структура, Фазовый состав, Анизотропное магнитосопротивление, Спин-зависимое рассеяние электронов.
Аннотация Исследованы структурно-фазовый состав и магниторезистивные свойства трехслойных пленочных систем на основе пермаллоя и меди, полученных методом послойной конденсации металлов с последующей термообработкой в интервале температур 300-700 К. Показано, что в интервале толщин слоев dCu = 6-15 нм и dPy = 25-40 нм для свежосконденсированных и отожженных при температуре 400 К реализуется спин-зависимое рассеяние электронов. Установлено, что максимальное значение изотропного магнитосопротивления наблюдается после отжига образцов при температуре 400 К, а отжиг при 550 К приводит к появлению анизотропного магнитосопротивления.

Список литературы