Perspective Method of Betavoltaic Converter Creation

Автор(ы) K.V. Rudenko1, A.V. Miakonkih1, A.E. Rogojin1, S.V. Bogdanov2, E.T. Lelekov2, V.G. Sidorov2, P.V. Zelenkov2
Принадлежность

1 Institute of Physics and Technology of the Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

2 Reshetnev Siberian State Aerospace University, Krasnoyarsk, Russia

Е-mail
Выпуск Том 8, Год 2016, Номер 2
Даты Получено 18.02.2016, опубликовано online – 21.06.2016
Ссылка K.V. Rudenko, A.V. Miakonkih, A.E. Rogojin, et al., J. Nano- Electron. Phys. 8 No 2, 02022 (2016)
DOI 10.21272/jnep.8(2).02022
PACS Number(s) 00.05.Tp, 85.60.Jb
Ключевые слова Betavoltaic element, p-i-n diode (3) , Plasma-immersion ion implantation, Cryo process, Scalloping.
Аннотация Some results on planar diode structure creation by the method of a plasma-immersion ion implantation is presented in this paper. Obtained leakage current ~ 1 uA/cm2 at reverse voltage – 1 V. The cryogenic plasmochemical silicon etching process is developed, able to form the structured silicon layer with system of deep holes with high aspect ratio.

Список литературы