Локальное рассеяние электронов на дефектах кристаллической решетки в InSb и InN

Автор(ы) О.П. Малык
Принадлежность

Национальный университет «Львовская политехника», пл. Св. Юрия, 1, 79013 Львов, Украина

Е-mail omalyk@ukr.net
Выпуск Том 8, Год 2016, Номер 2
Даты Получено 15.02.2016, опубликовано online – 21.06.2016
Ссылка О.П. Малык, Ж. Нано- электрон. физ. 8 № 2, 02018 (2018)
DOI 10.21272/jnep.8(2).02018
PACS Number(s) 72.20.Dp
Ключевые слова Дефекты решетки, Антимонид индия, Нитрид индия.
Аннотация В представленной работе рассматривается взаимодействие электронов с дефектами решетки, характеризуемых потенциалом лимитированного радиуса действия, в кристаллах антимонида и нитрида индия. Концентрация примеси в исследуемых кристаллах n-InSb составляла (1÷ 8) × 1014 см – 3, а в образце n-InN ≈ 6 × 1017 см – 3. В рамках аналитического решения стационарного кинетического уравнения Больцмана, используя принцип близкодействия, установлено температурные зависимости подвижности электронов, фактора Холла и термоэлектродвижущей силы в антимониде индия в температурном диапазоне 8-700 К. Для кристалла нитрида индия представлено зависимости подвижности электронов и фактора Холла в интервале 4.2-560 K.

Список литературы

English version of article