Автор(ы) | Н.П. Клочко1 , Е.С. Клепикова1 , В.Р. Копач1 , Г.С. Хрипунов1 , Н.Д. Волкова2 , В.Н. Любов1 , А.В. Копач1 |
Принадлежность | 1 Национальный технический университет «Харьковский политехнический институт», ул. Фрунзе, 21, 61002 Харьков, Украина 2 Национальный аэрокосмический университет «Харьковский авиационный институт», ул. Чкалова, 17, 61070 Харьков, Украина |
Е-mail | klochko_np@mail.ru |
Выпуск | Том 7, Год 2015, Номер 4 |
Даты | Получено 07.07.2015, опубликовано online – 24.12.2015 |
Ссылка | Н.П. Клочко, Е.С. Клепикова, В.Р. Копач, и др., Ж. нано- электрон. физ. 7 № 4, 04091 (2015) |
DOI | |
PACS Number(s) | 61.46.Km, 78.55.Et |
Ключевые слова | Оксид цинка, Импульсное катодное электроосаждение, Одномерная наноструктура, Фотолюминесценция. |
Аннотация | Адаптированным для широкомасштабного производства методом импульсного катодного электроосаждения из водного раствора без использования поверхностно-активных модификаторов роста и последующих термообработок впервые получены пригодные для оптоэлектроники и нанофотоники одномерные наноструктурированные массивы оксида цинка (1D ZnO). Интенсивной фотолюминесценцией (ФЛ) в ультрафиолетовой (УФ) области подтверждены низкая плотность дефектов и высокое оптическое качество материала. Острый высокий пик УФ фотолюминесценции наноструктурированного массива ZnO, электроосажденного на кремниевую пластину, свидетельствует о его эффективной излучательной рекомбинации. УФ ФЛ объясняется выявленными для данных массивов 1D ZnO слабо выраженной кристаллической текстурой (0001), небольшими микронапряжениями и остаточными напряжениями сжатия. |
Список литературы English version of article |