Фотолюминесценция одномерных массивов оксида цинка, электроосажденных в импульсном режиме

Автор(ы) Н.П. Клочко1 , Е.С. Клепикова1 , В.Р. Копач1 , Г.С. Хрипунов1 , Н.Д. Волкова2 , В.Н. Любов1 , А.В. Копач1
Принадлежность

1 Национальный технический университет «Харьковский политехнический институт», ул. Фрунзе, 21, 61002 Харьков, Украина

2 Национальный аэрокосмический университет «Харьковский авиационный институт», ул. Чкалова, 17, 61070 Харьков, Украина

Е-mail klochko_np@mail.ru
Выпуск Том 7, Год 2015, Номер 4
Даты Получено 07.07.2015, опубликовано online – 24.12.2015
Ссылка Н.П. Клочко, Е.С. Клепикова, В.Р. Копач, и др., Ж. нано- электрон. физ. 7 № 4, 04091 (2015)
DOI
PACS Number(s) 61.46.Km, 78.55.Et
Ключевые слова Оксид цинка, Импульсное катодное электроосаждение, Одномерная наноструктура, Фотолюминесценция.
Аннотация Адаптированным для широкомасштабного производства методом импульсного катодного электроосаждения из водного раствора без использования поверхностно-активных модификаторов роста и последующих термообработок впервые получены пригодные для оптоэлектроники и нанофотоники одномерные наноструктурированные массивы оксида цинка (1D ZnO). Интенсивной фотолюминесценцией (ФЛ) в ультрафиолетовой (УФ) области подтверждены низкая плотность дефектов и высокое оптическое качество материала. Острый высокий пик УФ фотолюминесценции наноструктурированного массива ZnO, электроосажденного на кремниевую пластину, свидетельствует о его эффективной излучательной рекомбинации. УФ ФЛ объясняется выявленными для данных массивов 1D ZnO слабо выраженной кристаллической текстурой (0001), небольшими микронапряжениями и остаточными напряжениями сжатия.

Список литературы

English version of article