Автор(ы) | А.А. Козак , В.И. Иващенко , А.К. Порада , Л.А. Иващенко , В.Я. Малахов, Т.В. Томила |
Принадлежность | Институт проблем материаловедения, НАН Украины, ул. Кржижановского, 3, 03142 Киев, Украина |
Е-mail | |
Выпуск | Том 7, Год 2015, Номер 3 |
Даты | Получено 31.07.2015; в отредактированной форме – 14.10.2015; опубликовано online 15.10.2015 |
Ссылка | А.А. Козак, В.И. Иващенко, А.К. Порада, и др., Ж. нано- электрон. физ. 7 № 3, 03040 (2015) |
DOI | |
PACS Number(s) | 78.66.Jg |
Ключевые слова | PECVD (6) , Гексаметилдисилазан, Si-C-N пленки, FTIR (22) , Оптические спектры. |
Аннотация | Исследованы структурные свойства и энергетическая щель Si-C-N пленок, осажденных плазмохимическим методом из гексаметилдисилазана, в интервале температур 200-700 °С. Пленки были получены на кремниевых и стеклянных подложках, что дало возможность провести рентгеноструктурное исследование и изучить спектры инфракрасного (ИК) и оптического пропускания. Представление широкой полосы ИК спектров в виде гаусиан свидетельствует, что основной вклад вносят колебания Si-C, Si-N и Si-O связей. Показано, что с повышением температуры происходит интенсивная эффузии водорода с пленок. Энергетическая щель уменьшается с 2,3 до 1,6 эВ с изменением температуры подложки с 200 до 700 °С. |
Список литературы |