Исследование внутренних механических напряжений, возникающих в структурах Si-SiO2-ЦТС

Автор(ы) Д.А. Коваленко, В.В. Петров
Принадлежность

Южный федеральный университет, ул. Чехова, 2, 347900 Таганрог, Россия

Е-mail
Выпуск Том 7, Год 2015, Номер 3
Даты Получено 23.06.2015; опубликовано online 20.10.2015
Ссылка Д.А. Коваленко, В.В. Петров, Ж. нано- электрон. физ. 7 № 3, 03036 (2015)
DOI
PACS Number(s) 61.46.- w, 68.35.Dv
Ключевые слова Механические напряжения, Сегнетоэлектрические пленки, Кремневая подложка, Цирконат-титанат свинца, Механизм роста пленок.
Аннотация В работе описываются исследования направленные на выявление механизмов роста сегнетоэлектрических тонких пленок цирконата-титаната свинца (ЦТС) на окисленных кремниевых подложках. Показано, что скорость роста сегнетоэлектрической пленки составляет порядка 15-18 нм/мин, а пленки формируются по механизму Странски-Крастанова. Приведены результаты теоретических исследований внутренних механических напряжений, возникающих в связи с разницей в коэффициентах термического расширения материалов кремниевой подложки, подслоя оксида кремния и пленки ЦТС. Представлены результаты экспериментальных исследований внутренних механических напряжений, показавшие их хорошее совпадение с результатами расчетов в диапазоне толщин пленок ЦТС 100-300 нм.

Список литературы

English version of article