О природе центров электролюминесценции в пластически деформированных кристаллах кремния p-типа

Автор(ы) Б.В. Павлык , М.О. Кушлык , Д.П. Слободзян
Принадлежность

Львовский национальный университет имени Ивана Франко, ул. ген. Тарнавского 107, 79017 Львов, Украина

Е-mail kushlykmarik@gmail.com
Выпуск Том 7, Год 2015, Номер 3
Даты Получено 28.07.2015; опубликовано online 20.10.2015
Ссылка Б.В. Павлык, М.О. Кушлык, Д.П. Слободзян, Ж. нано- электрон. физ. 7 № 3, 03043 (2015)
DOI
PACS Number(s) 61.72.Hh, 61.72.Lk, 61.72.Uf, 68.35.Dv, 72.20.Jv, 73.20.Hb, 73.40.Sx, 73.40.Qv, 78.60.Fi
Ключевые слова Кремний р-типа, Дислокационная электролюминесценция, Рекомбинационные центры, Пластическая деформация, Высокотемпературный отжиг.
Аннотация В работе описываются исследования дислокационной электролюминесценции монокристаллов кремния p-типа с высокой концентрацией дислокаций на поверхности (111). Приводятся влияния высокотемпературного отжига в атмосфере проточного кислорода на спектры люминесценции и емкостно-модуляционные спектры образцов. Из анализа результатов установлена природа центры рекомбинации и их перестройка при высокотемпературном отжиге. Показано, что осаждение пленки Al на подложку p-Si приводит к формированию деформационного потенциала и, как следствие, локализации в приповерхностном слое дефектов из объема кристалла, которые соответствуют центрам свечения.

Список литературы

English version of article