Hydrogenation of Laser-crystallized a-Si:H Films

Автор(ы) М.В. Хенкин1, Д.В. Амасев1, А.Г. Казанский1, П.А. Форш1,2
Принадлежность

1 Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Ленинские Горы, 1, 119991 Москва, Россия

2Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт», пл. Академика Курчатова, 1,123182 Москва, Россия

Е-mail mark.khenkin@gmail.com
Выпуск Том 7, Год 2015, Номер 3
Даты Получено 11.08.2015; опубликовано online 20.10.2015
Ссылка М.В. Хенкин, Д.В. Амасев, А.Г. Казанский, П.А. Форш, Ж. нано- электрон. физ. 7 № 3, 03048 (2015)
DOI
PACS Number(s) 71.23.Cq, 73.50.Pz, 79.20.Ds
Ключевые слова Аморфный гидрогенизированный кремний, Нанокристаллический гидрогенизированный кремний, Лазерная кристаллизация, Фемтосекундные лазерные импульсы, Концентрация водорода, Пост-гидрогенизация.
Аннотация В настоящий момент активно развивается область материаловедения, связанная со сверхбыстрой лазерной обработкой полупроводниковых материалов. В частности, фемтосекундная лазерная кристаллизация пленок гидрогенизированного аморфного кремния имеет большие перспективы для создания материалов, оптимальных для фотовольтаики. Однако процесс дегидрогенизации, сопутствующий лазерной обработке, существенно уменьшает фоточувствительность облученных пленок и, как следствие, ограничивает их применимость в оптоэлектронных приложениях. В данной работе были исследованы фотоэлектрические свойства пленок аморфного кремния, кристаллизованных фемтосекундными лазерными импульсами. Для восстановления содержания водорода в структуре материала были проведены две различные процедуры гидрогенизации: выдерживание пленок в плазме водорода и в атмосфере водорода высокого давления. Эффективность предложенных процедур для увеличения фоточувствительности материала обсуждается.

Список литературы