Рассеяния электронов для одноосно деформированных монокристаллов n-Ge

Автор(ы) С.В. Луньов
Принадлежность

Луцкий национальный технический университет,ул. Львовская, 75, 43018 Луцк, Украина

Е-mail
Выпуск Том 7, Год 2015, Номер 3
Даты Получено 10.03.2015; опубликовано online 20.10.2015
Ссылка С.В. Луньов, Ж. нано- электрон. физ. 7 № 3, 03029 (2015)
DOI
PACS Number(s) 72.10. – d, 72.20.Fr
Ключевые слова Одноосная деформация, Эквивалентное и неэквивалентное междолинное рассеяния, Монокристаллы n-Ge, L1 и Δ1 минимумы, Постоянная Холла.
Аннотация Исследовано рассеяние электронов в (L1-Δ1) модели зоны проводимости монокристаллов n-Ge, образованной одноосным давлением вдоль кристаллографического направления [100]. Полученные экспериментальные результаты и проведенные теоретические расчеты температурных зависимостей удельного сопротивления для одноосно деформированных монокристаллов n-Ge показывают, что для диапазона одноосных давлений от 1,4 до 2,3 ГПа существенным становится неэквивалентное междолинное рассеяния электронов между L1 и Δ1 минимумами, относительный вклад которого зависит от величины одноосного давления. Наличие максимума для зависимостей постоянной Холла от одноосного давления для P ~ 2,1 ГПа, когда энергетическая щель между L1 и Δ1 “захлопывается”, объясняется наибольшей эффективностью данного механизма рассеяния при таких давлениях.

Список литературы