Ядерный квадрупольный резонанс и сенсорные свойства слоистых полупроводниковых кристаллов GaSe и InSe

Автор(ы) А.П. Самила1 , В.А. Хандожко2, З.Д. Ковалюк3
Принадлежность

1 Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, ул. Коцюбинского, 2, 58012 Черновцы, Украина

2 Телерадиокомпания «НБМ», ул. Электриков, 26, 04176 Киев, Украина

3 Институт проблем материаловедения имени И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, ул. Ирины Вильде, 5, 58001 Черновцы, Украина

Е-mail asound@ukr.net
Выпуск Том 7, Год 2015, Номер 3
Даты Получено 21.05.2015; в отредактированной форме – 23.06.2015; опубликовано online 20.10.2015
Ссылка А.П. Самила, В.А. Хандожко, З.Д. Ковалюк, Ж. нано- электрон. физ. 7 № 3, 03024 (2015)
DOI
PACS Number(s) 76.60.Gv, 07.20.Dt, 07.07.Df
Ключевые слова Ядерный квадрупольный резонанс, ПЛИС, InSe (4) , GaSe (3) , Сенсоры температуры и давления.
Аннотация Методами импульсной радиоспектроскопии ЯКР с быстрым преобразованием Фурье сигналов спиновой индукции исследованы температурные и барические зависимости ЯКР в моноселенидах индия и галлия. Импульсный спектрометр ЯКР реализован на основе многофункционального программно управляемого цифрового вычислительного ядра на ПЛИС Altera Cyclone. Из спектров ЯКР изотопов 69Ga и 115In установлено, что полупроводниковые соединения GaSe и InSe можно применить при создании сенсоров температуры в интервале 20÷130 °С. Для исследованных кристаллов точность определения температуры составляет ± 0,05 °С. Установлено, что применение данных слоистых соединений для измерений одноосного давления с помощью ЯКР возможно при давлениях до 50÷100 кг/см2, где проявление гистерезиса не существенно.

Список литературы