Автор(ы) | О.П. Малык1, В.М. Родыч2, Г.А. Ильчук2 |
Принадлежность | 1 Национальный университет «Львовская политехника», кафедра полупроводниковой электроники, пл. Св. Юра, 1, 79013 Львов, Украина 2 Национальный университет «Львовская политехника», кафедра физики, ул. Ст. Бандеры, 12, 79013 Львов, Украина |
Е-mail | omalyk@ukr.net |
Выпуск | Том 7, Год 2015, Номер 3 |
Даты | Получено 09.06.2015; опубликовано online 20.10.2015 |
Ссылка | О.П. Малык, В.М. Родыч, Г.А. Ильчук, Ж. нано- электрон. физ. 7 № 3, 03019 (2015) |
DOI | |
PACS Number(s) | 72.20.Dp |
Ключевые слова | Явления переноса, Рассеяние носителей заряда, Сульфид кадмия. |
Аннотация | Рассмотрены процессы рассеяния электронов на близкодействующем потенциале, обусловленном взаимодействием с полярными и неполярными оптическими фононами, пьезоэлектрическими и акустическими фононами, центрами статической деформации, заряженной и нейтральной примесью в кристаллах CdS с концентрацией примеси ≈ 5.6 × 1016÷8.7 × 1017 cм – 3. Рассчитано температурную зависимость подвижности и Холл фактора электронов в интервале 10÷400 К. |
Список литературы |