Подвижность электронов в сульфиде кадмия

Автор(ы) О.П. Малык1, В.М. Родыч2, Г.А. Ильчук2
Принадлежность

1 Национальный университет «Львовская политехника», кафедра полупроводниковой электроники, пл. Св. Юра, 1, 79013 Львов, Украина

2 Национальный университет «Львовская политехника», кафедра физики, ул. Ст. Бандеры, 12, 79013 Львов, Украина

Е-mail omalyk@ukr.net
Выпуск Том 7, Год 2015, Номер 3
Даты Получено 09.06.2015; опубликовано online 20.10.2015
Ссылка О.П. Малык, В.М. Родыч, Г.А. Ильчук, Ж. нано- электрон. физ. 7 № 3, 03019 (2015)
DOI
PACS Number(s) 72.20.Dp
Ключевые слова Явления переноса, Рассеяние носителей заряда, Сульфид кадмия.
Аннотация Рассмотрены процессы рассеяния электронов на близкодействующем потенциале, обусловленном взаимодействием с полярными и неполярными оптическими фононами, пьезоэлектрическими и акустическими фононами, центрами статической деформации, заряженной и нейтральной примесью в кристаллах CdS с концентрацией примеси ≈ 5.6 × 1016÷8.7 × 1017 cм – 3. Рассчитано температурную зависимость подвижности и Холл фактора электронов в интервале 10÷400 К.

Список литературы